PMV65XP.215

Ном. номер: 8001780440
PartNumber: PMV65XP.215
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 PMV65XP.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 PMV65XP.215Фото 3/4 PMV65XP.215Фото 4/4 PMV65XP.215
5 руб.
26817 шт. со склада г.Москва
от 1900 шт. — 3.90 руб.
от 4000 шт. — 3.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 1053 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
8 руб. 2015 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 6.50 руб.
от 1000 шт. — 6.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3.9 A
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
1,92 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
Nexperia
Типичное время задержки выключения
68 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.47V
Максимальное сопротивление сток-исток
76 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
7,6 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
725 пФ при 20 В
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Вес, г
0.044

Техническая документация

PMV65XP
pdf, 264 КБ

Дополнительная информация

Datasheet PMV65XP.215

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.