BCW71.215

Фото 1/4 BCW71.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 546 шт.
от 1300 шт.5.40 руб.
от 6000 шт.4.76 руб.
Добавить в корзину 546 шт. на сумму 3 822 руб.
Альтернативные предложения4
Посмотреть аналоги13
Номенклатурный номер: 8001783194
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор маломощный SOT23

Технические параметры

Корпус to236
кол-во в упаковке 3000
Base Product Number BCW71 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Polarity NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Collector Current (Ic) 100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 45V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 210mV@2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 110@2mA, 5V
Power Dissipation (Pd) 250mW
Transition Frequency (fT) 100MHz
Вес, г 0.046

Техническая документация

Datasheet
pdf, 303 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов