BCW71.215

Ном. номер: 8001783194
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BCW71.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BCW71.215Фото 3/5 BCW71.215Фото 4/5 BCW71.215Фото 5/5 BCW71.215
3 руб.
12370 шт. со склада г.Москва
от 2300 шт. — 2 руб.
Мин. кол-во для заказа 776 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
18 руб. 3-4 недели, 25 шт. 1 шт. 6 шт.
28 руб. 5-6 недель, 7875 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 21 руб.
6 руб. 8 дней, 2100 шт. 100 шт. 100 шт.
24 руб. 6 дней, 5467 шт. 1 шт. 26 шт.
от 321 шт. — 5 руб.
от 641 шт. — 3.30 руб.
от 1281 шт. — 2.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 110, Коэффициент усиления по току, max 220

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,85 В
Длина
3мм
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
90
Вес, г
0.046

Дополнительная информация

Datasheet BCW71.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов