BCP54.115

Ном. номер: 8001783203
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BCP54.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BCP54.115Фото 3/4 BCP54.115Фото 4/4 BCP54.115
7 руб.
9335 шт. со склада г.Москва
от 1000 шт. — 5.10 руб.
от 4000 шт. — 4.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 762 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
15 руб. 1196 шт. 1 шт. 1 шт.
от 50 шт. — 9.10 руб.
от 500 шт. — 7.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 250

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
180 MHz
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
45 В
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности
960 мВт
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Тип транзистора
NPN
Высота
1.7мм
Число контактов
4
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Вес, г
0.265

Техническая документация

BCP54 datasheet
pdf, 53 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BCP54.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов