PBSS4540Z.115

Ном. номер: 8001783608
PartNumber: PBSS4540Z.115
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 PBSS4540Z.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 PBSS4540Z.115Фото 3/4 PBSS4540Z.115Фото 4/4 PBSS4540Z.115
15 руб.
6285 шт. со склада г.Москва
от 595 шт. — 13.30 руб.
от 1000 шт. — 12.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 336 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
29 руб. 1639 шт. 1 шт. 1 шт.
от 50 шт. — 24 руб.
от 500 шт. — 22 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 5 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 500

Транзистор биполярный стандартный
Кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.355 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
130 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,3 В
Длина
6.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
5 A
Тип транзистора
NPN
Высота
1.7мм
Число контактов
4
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Вес, г
0.182

Техническая документация

PBSS4540Z
pdf, 146 КБ

Дополнительная информация

Datasheet PBSS4540Z.115

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.