BC857C.235

Ном. номер: 8001788629
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/3 BC857C.235
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BC857C.235Фото 3/3 BC857C.235
0.70 руб.
60048 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 7043 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
3 руб. 3 дня, 45900 шт. 100 шт. 100 шт.
от 500 шт. — 2 руб.
от 1000 шт. — 1.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 10000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-300 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-700 mV
Length
3мм
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
-45 V
Package Type
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
250 mW
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Ширина
1.4mm
Maximum DC Collector Current
100 mA
Transistor Type
PNP
Высота
1мм
Pin Count
3
Размеры
3 x 1.4 x 1mm
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimum DC Current Gain
420
Вес, г
0.05

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов