BC848B.215

Ном. номер: 8001789402
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/6 BC848B.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 BC848B.215Фото 3/6 BC848B.215Фото 4/6 BC848B.215Фото 5/6 BC848B.215Фото 6/6 BC848B.215
0.80 руб.
30513 шт. со склада г.Москва
от 6000 шт. — 0.65 руб.
от 30000 шт. — 0.62 руб.
Мин. кол-во для заказа 2440 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 7324 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 V
Length
3mm
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Maximum Power Dissipation
250 mW
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.4mm
Maximum DC Collector Current
100 mA
Transistor Type
NPN
Height
1mm
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Minimum DC Current Gain
200
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
3мм
Максимальное напряжение коллектор-база
30 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Вес, г
0.028

Техническая документация

BC848 datasheet
pdf, 80 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC848B.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.