Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › NXP › BC848B.215

BC848B.215

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 руб.

Мин. кол-во для заказа 1703 шт.

от 3900 шт. — 1.80 руб.

от 15000 шт. — 1.55 руб.

Добавить в корзину 1703 шт. на сумму 5 109 руб.

Альтернативные предложения3

Посмотреть аналоги3

Номенклатурный номер: 8001789402

Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

Описание Транзистор NPN, биполярный, 30В, 100мА, 250мВт, SOT23,TO236AB

Технические параметры

Корпус	to236
кол-во в упаковке	3000
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	BC848B T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200 at 2 mA at 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200 at 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	30V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	250mW
Transistor Type	NPN
Maximum Collector Base Voltage	30 V
Maximum Collector Emitter Voltage	30 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23(TO-236AB)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.028