BC857BS.115

Ном. номер: 8001789417
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BC857BS.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BC857BS.115Фото 3/4 BC857BS.115Фото 4/4 BC857BS.115
3 руб.
33630 шт. со склада г.Москва
от 2500 шт. — 1.80 руб.
от 9000 шт. — 1.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 2174 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 2870 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 3 руб.
от 1000 шт. — 2.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TSSOP6

Корпус TSSOP6, Тип проводимости и конфигурация PNP/PNP, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,4 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,755 В
Длина
2.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Transistor Configuration
Изолированный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
UMT
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
PNP
Высота
1мм
Число контактов
6
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Вес, г
0.026

Техническая документация

BC857BS
pdf, 111 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC857BS.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов