BC857.215

Ном. номер: 8001801783
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BC857.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BC857.215Фото 3/4 BC857.215Фото 4/4 BC857.215
0.90 руб.
32116 шт. со склада г.Москва
от 6000 шт. — 0.68 руб.
от 27000 шт. — 0.64 руб.
Мин. кол-во для заказа 2326 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
3 руб. 5768 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.30 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 125, Коэффициент усиления по току, max 800

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,65 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,85 В
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
PNP
Высота
1мм
Число контактов
3
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
125
Вес, г
0.036

Техническая документация

BC856_BC857_BC858
pdf, 158 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC857.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов