2N7002PW,115, Транзистор полевой N-канальный 60В 0.31А 0.31Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
883 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 43 шт.
от 121 шт. —
9 руб.
от 242 шт. —
8 руб.
от 484 шт. —
7.40 руб.
Добавить в корзину 43 шт.
на сумму 473 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.31А 0.31Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-323 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 310 mA | |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW | |
| Qg - заряд затвора | 0.6 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 4 ns | |
| Время спада | 5 ns | |
| Высота | 1 mm | |
| Длина | 2.2 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Продукт | MOSFET Small Signal | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET | |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 | |
| Ширина | 1.35 mm | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 310 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 260 mW | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-323 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 2.5 V | |
| Width | 1.35mm | |
| Automotive | Yes | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.31 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1600@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 310 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Part Status | NRND | |
| PCB changed | 3 | |
| PPAP | Unknown | |
| Process Technology | TMOS | |
| Product Category | Small Signal | |
| Standard Package Name | SOT | |
| Supplier Package | SC-70 | |
| Supplier Temperature Grade | Automotive | |
| Typical Fall Time (ns) | 5 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.6@4.5V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 30@10V | |
| Typical Rise Time (ns) | 4 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 10 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 292 КБ
Datasheet 2N7002PW,115
pdf, 148 КБ
Datasheet 2N7002PW.115
pdf, 262 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
