PUSB3FR4Z

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 513 шт.
от 1200 шт. —
4.30 руб.
от 5000 шт. —
4.01 руб.
Добавить в корзину 513 шт.
на сумму 3 078 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8001818641
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: NXP Semiconductor
Описание
Активные электронные компоненты
ESD protection for ultra high-speed interfaces, The device is designed to protect high-speed interfaces such as Super Speed USB 3.
Технические параметры
Корпус | DFN2510A10 | |
кол-во в упаковке | 5000 | |
Breakdown Voltage | 5.5V | |
Clamping Voltage | 3V | |
Peak Pulse Current | 5A (8/20us) | |
Working Voltage | 3.3V (Max) | |
Capacitance | 0.34pF | |
ESD Protection | Yes | |
Maximum Clamping Voltage | 3V | |
Maximum Operating Temperature | +85 °C | |
Maximum Peak Pulse Current | 7A | |
Maximum Reverse Leakage Current | 100nA | |
Minimum Breakdown Voltage | 5.5V | |
Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 6 | |
Package Type | DFN2510A | |
Pin Count | 10 | |
Width | 1.1mm | |
Working Voltage | 3.3V | |
Вес, г | 0.037 | |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 672 КБ
Datasheet
pdf, 1553 КБ
Диоды защитные импортные
pdf, 732 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды защитные (TVS)»
Типы корпусов импортных диодов