IPT007N06NATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 руб.
от 2 шт. —
940 руб.
от 10 шт. —
870 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 020 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPT007N06NATMA1 от производителя INFINEON отличается высоким током стока 300 А и напряжением сток-исток 60 В. Мощность данной модели составляет 375 Вт, а сопротивление в открытом состоянии имеет низкое значение всего 0,0007 Ом, что обеспечивает эффективную работу и минимизацию потерь. Тип N-MOSFET и монтаж SMD позволяют использовать его в самых современных электронных устройствах. Корпус PG-HSOF-8-1 обеспечивает удобство монтажа на печатную плату. Продукт IPT007N06NATMA1, известный также как IPT007N06NATMA1, является оптимальным выбором для мощных и энергоэффективных конструкций. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 300 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 375 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0007 |
| Корпус | PG-HSOF-8-1 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Fall Time | 22 ns |
| Forward Transconductance - Min | 160 S |
| Height | 2.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 300 A |
| Length | 10.58 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | HSOF-8 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | IPT007N06N SP001100158 |
| Pd - Power Dissipation | 375 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 287 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 660 uOhms |
| Rise Time | 18 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | Power Transistor |
| Typical Turn-Off Delay Time | 76 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 38 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
| Width | 10.1 mm |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HSOF-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOS 5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 216 nC @ 10 V |
| Вес, г | 0.9733 |
Техническая документация
Datasheet IPT007N06NATMA1
pdf, 1237 КБ
