SSM6N58NU
40 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 129pF @ 15V |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-UDFN(2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
