2SC3265-Y
230 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Электроэлемент
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built- in transistor
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 25 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.4 V |
| Continuous Collector Current | 800 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 40 |
| DC Current Gain hFE Max | 320 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 120 MHz |
| Manufacturer | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current | 800 mA |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-236MOD-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SC3265 |
| Transistor Polarity | NPN |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
