RF4E080GN
57 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
158 руб.
от 57 шт. —
138.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML EP T/R
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 2.4 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5 S |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | DFN2020-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 17.6 mOhms |
| Rise Time | 3.6 ns |
| RoHS | Details |
| Series | RF4E080GN |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17.3 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Техническая документация
Документация
pdf, 1468 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
