IRF7478

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

260 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 200 руб.

от 10 шт. — 169 руб.

от 89 шт. — 147.50 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 520 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001973059

Электроэлемент

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7A I(D), 60V, 0.026OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA

Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single Quad Drain Triple Source
Maximum Continuous Drain Current - (A)	7
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	26@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	60
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)	3
Maximum Power Dissipation - (mW)	2500
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	8
Standard Package Name	SOP
Supplier Package	SOIC
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	21@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	1740@25V
Typical Output Capacitance - (pF)	1590
Вес, г	0.2