IRF7478

Фото 1/2 IRF7478
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.200 руб.
от 10 шт.169 руб.
от 89 шт.147.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001973059

Описание

Электроэлемент
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7A I(D), 60V, 0.026OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quad Drain Triple Source
Maximum Continuous Drain Current - (A) 7
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 26@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 60
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 3
Maximum Power Dissipation - (mW) 2500
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 8
Standard Package Name SOP
Supplier Package SOIC
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 21@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 1740@25V
Typical Output Capacitance - (pF) 1590
Вес, г 0.2

Техническая документация

IRF7478PBF Datasheet
pdf, 128 КБ
Документация
pdf, 209 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов