TIP31C

Ном. номер: 8001986229
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 TIP31C
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 TIP31CФото 3/4 TIP31CФото 4/4 TIP31C
93 руб.
95 шт. со склада г.Москва
от 2 шт. — 55 руб.
от 5 шт. — 30 руб.
от 10 шт. — 23 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
19 руб. 1252 шт. 1 шт. 236 шт.
от 250 шт. — 17 руб.
от 550 шт. — 16.30 руб.
от 1150 шт. — 15.50 руб.
50 руб. 3-4 недели, 1444 шт. 1 шт. 2 шт.
от 30 шт. — 33.10 руб.
от 100 шт. — 30.40 руб.
66 руб. 3 дня, 51 шт. 1 шт. 1 шт.
69 руб. 6 дней, 1229 шт. 1 шт. 5 шт.
от 100 шт. — 24 руб.
от 150 шт. — 21 руб.
от 300 шт. — 19 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; IК(макс): 3 А; Pрасс: 40 Вт; h21: от 50
Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 50

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,2 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.6мм
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Тип транзистора
NPN
Высота
9.15мм
Число контактов
3
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Brand
STMicroelectronics

Дополнительная информация

Datasheet TIP31C

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.