ZVNL120A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
от 2 шт. —
140 руб.
от 3 шт. —
102 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Электроэлемент
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 180 mA, 10 ohm, E-Line, Through Hole
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Rise Time: | 8 ns |
| Series: | ZVNL120 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 55 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
