TIP35CW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
670 руб.
от 2 шт. —
550 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR ARRAY, NPN, 100V, 25A, TO-247; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:25A; DC Current Gain hFE:25hFE; Tr
Технические параметры
Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
Configuration: | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Gain Bandwidth Product fT: | 3 MHz |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current: | 25 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 125 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | TIP35CW |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN, PNP |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.