SPP11N80C3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 руб.
от 2 шт. —
890 руб.
от 5 шт. —
803 руб.
от 10 шт. —
763.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 020 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой SPP11N80C3 от производителя INFINEON обладает отличными характеристиками для использования в силовой электронике. Монтаж данной модели осуществляется через отверстия (THT), что облегчает процесс установки на печатную плату. Ток стока составляет 11 А, что позволяет управлять средней мощностью нагрузки. Высокое напряжение сток-исток в 800 В делает этот транзистор подходящим для работы в условиях высоких напряжений. Мощность устройства достигает 156 Вт, обеспечивая надежную работу в различных электронных схемах. Низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,45 Ом, свидетельствует о высокой эффективности компонента. Тип корпуса PG-TO220-3 обеспечивает удобную установку и достаточное охлаждение. Модель SPP11N80C3 в типе N-MOSFET идеально подойдет для проектов, требующих надежных и мощных компонентов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 11 |
| Напряжение сток-исток, В | 800 |
| Мощность, Вт | 156 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.45 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 10 ns |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | SP000683158 SPP11N80C3XK SPP11N80C3XKSA1 |
| Pd - Power Dissipation | 156 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 85 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 390 mOhms |
| Rise Time | 15 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS C3 |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 72 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
| Width | 4.4 mm |
| Case | PG-TO220-3 |
| Drain current | 11A |
| Drain-source voltage | 800V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.45Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 156W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 2.08 |
Техническая документация
Datasheet SPP11N80C3XKSA1
pdf, 488 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
