IRFHM830
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
164 руб.
от 23 шт. —
149.94 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, DIODE, 30V, 40A, PQFN33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 859 КБ
