DTC114EMT2L

Фото 1/2 DTC114EMT2L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
134 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.60 руб.
от 10 шт.49 руб.
от 100 шт.38.88 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8002018931
Бренд: Rohm

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Base Part Number DTC114
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Manufacturer Rohm Semiconductor
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-723
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Series -
Supplier Device Package VMT3
Transistor Type NPN-Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector Current (Ic) 50mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 500nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@500uA, 10mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 30@5mA, 5V
Power Dissipation (Pd) 150mW
Transition Frequency (fT) 250MHz
Base-Emitter Resistor 47kΩ
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 150 mW
Minimum DC Current Gain 30
Number of Elements per Chip 1
Package Type SC-105AA
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Typical Input Resistor 47 kΩ
Typical Resistor Ratio 1
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2361 КБ
Datasheet DTC114EMT2L
pdf, 2362 КБ
Документация
pdf, 1204 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.