IRL540S

Фото 1/2 IRL540S
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
600 руб.
от 2 шт.540 руб.
от 5 шт.492 руб.
от 10 шт.477 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 руб.
Номенклатурный номер: 8002020104
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

МОП-транзистор 100V N-CH HEXFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 28 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Qg - заряд затвора 64 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 77 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263-3
Base Product Number IRL540 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250ВµA
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.10.00.80
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±10
Maximum Continuous Drain Current (A) 28
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 77@5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 64(Max)@5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 2200@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 3700
Typical Fall Time (ns) 80
Typical Rise Time (ns) 170
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 35
Typical Turn-On Delay Time (ns) 8.5
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Automotive No
Standard Package Name TO-263
Pin Count 3
Supplier Package D2PAK
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 4.83(Max)
Package Length 10.41(Max)
Package Width 9.65(Max)
PCB changed 2
Tab Tab

Техническая документация

Datasheet IRL540SPBF
pdf, 305 КБ
Datasheet IRL540SPBF
pdf, 313 КБ
Datasheet IRL540SPBF
pdf, 273 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов