IRF1405Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 2 шт. —
430 руб.
от 5 шт. —
362 руб.
от 10 шт. —
336.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRF1405ZPBF от производителя INFINEON является высокопроизводительным N-MOSFET устройством, предназначенным для монтажа в отверстия типа THT. Этот транзистор отличается высоким током стока в 150 А и устойчивостью к напряжению сток-исток до 55 В, что позволяет использовать его в различных силовых применениях. С мощностью в 230 Вт и надежным корпусом TO220AB, IRF1405ZPBF обеспечивает долговечность и стабильность в широком диапазоне рабочих условий. Приобретая IRF1405ZPBF, вы получаете надежный компонент для эффективного управления мощностью в ваших электронных проектах. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 150 |
| Напряжение сток-исток, В | 55 |
| Мощность, Вт | 230 |
| Корпус | TO220AB |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 75A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 75A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.9 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 2.575 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
