IRF7201
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
133 руб.
от 100 шт. —
120.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 30V, 7.3A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Fall Time | 19 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5.8 S |
| Height | 1.75 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 7.3 A |
| Length | 4.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SO-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 19 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
| Rise Time | 35 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Width | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet irf7201pbf
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
