IRF7341
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
123 руб.
от 100 шт. —
110 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL N CH, 55V, 4.7A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Корпус | SOIC-8(SMD) | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Заряд | затвора(Qg)-24 нКл | |
| Максимально допустимое напряжение | сток-исток(Vds max)-55 В; затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-4.7 A | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1В | |
| Описание | 55V, 4.7A | |
| Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-43 мОм | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 2 N-канала | |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. | |
| Вес, г | 0.166 |
Техническая документация
IRF7341
pdf, 146 КБ
Документация
pdf, 112 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
