IRL2203NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
240 руб.
от 10 шт. —
205 руб.
от 50 шт. —
183.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 7 Milliohms; ID 116A; D2Pak; PD 180W; VGS +/-16V
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 116 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 7@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??16 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 3800 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Process Technology | HEXFET |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 60(Max)@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3290@25V |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRL2203N
pdf, 299 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов