IRL2203NS

IRL2203NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.240 руб.
от 10 шт.205 руб.
от 50 шт.183.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 600 руб.
Номенклатурный номер: 8002026680

Описание

Электроэлемент
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 7 Milliohms; ID 116A; D2Pak; PD 180W; VGS +/-16V

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 116
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 7@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 30
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??16
Maximum Power Dissipation - (mW) 3800
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Process Technology HEXFET
Standard Package Name TO-263
Supplier Package D2PAK
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 60(Max)@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 3290@25V
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRL2203N
pdf, 299 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов