AO3421E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
65 руб.
от 10 шт. —
48 руб.
от 34 шт. —
39.06 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Номенклатурный номер: 8002029614
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AO3421E от ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. С током стока 2 А, напряжением сток-исток 30 В и мощностью 0,9 Вт, этот транзистор обеспечивает надежную работу в различных электронных схемах. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,095 Ом, что делает AO3421E идеальным выбором для эффективного управления мощностью. Компактный корпус SOT-23-3 гарантирует легкость интеграции в печатные платы. Его область применения включает в себя, но не ограничивается, питающими и коммутационными схемами. Используя AO3421E, вы получаете надежный компонент, подходящий для широкого спектра электронных проектов. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 2 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 0.9 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.095 |
Корпус | SOT-23-3 |
Технические параметры
Automotive | Unknown |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 95@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2.5 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 1400 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | SOT-23 |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 4.6 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 4.6@10VI2.2@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 215@15V |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 95 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1400 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | Unknown |
Product Category | Power MOSFET |
Typical Fall Time (ns) | 4 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 4.6 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.2 4.5V|4.6 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 215 15V |
Typical Rise Time (ns) | 4 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13.5 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
Вес, г | 0.07 |