AO3421E

Фото 1/2 AO3421E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.65 руб.
от 10 шт.48 руб.
от 34 шт.39.06 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.
Номенклатурный номер: 8002029614
Бренд: Alpha & Omega

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AO3421E от ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. С током стока 2 А, напряжением сток-исток 30 В и мощностью 0,9 Вт, этот транзистор обеспечивает надежную работу в различных электронных схемах. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,095 Ом, что делает AO3421E идеальным выбором для эффективного управления мощностью. Компактный корпус SOT-23-3 гарантирует легкость интеграции в печатные платы. Его область применения включает в себя, но не ограничивается, питающими и коммутационными схемами. Используя AO3421E, вы получаете надежный компонент, подходящий для широкого спектра электронных проектов. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 2
Напряжение сток-исток, В 30
Мощность, Вт 0.9
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.095
Корпус SOT-23-3

Технические параметры

Automotive Unknown
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Configuration Single
Maximum Continuous Drain Current - (A) 3
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 95@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 30
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 2.5
Maximum Power Dissipation - (mW) 1400
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Pin Count 3
Standard Package Name SOT-23
Supplier Package SOT-23
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 4.6
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 4.6@10VI2.2@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 215@15V
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 95 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 10000
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.5
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1400
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP Unknown
Product Category Power MOSFET
Typical Fall Time (ns) 4
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 4.6
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 2.2 4.5V|4.6 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 215 15V
Typical Rise Time (ns) 4
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 13.5
Typical Turn-On Delay Time (ns) 8
Вес, г 0.07

Техническая документация

Datasheet
pdf, 307 КБ
Datasheet AO3421E
pdf, 309 КБ
Datasheet AO3421E
pdf, 307 КБ