IRLR024NTRLPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 390 руб.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | SP001568558 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.065Ом |
| Power Dissipation | 45Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.065Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 310 КБ
IRLR024NPBF Datasheet
pdf, 308 КБ
