IRFP250M
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 2 шт. —
420 руб.
от 5 шт. —
343 руб.
от 10 шт. —
315 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRFP250MPBF от производителя INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия печатной платы (THT). Этот транзистор отличается током стока до 30 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 200 В, обеспечивая при этом мощность до 214 Вт. Устройство выпускается в надежном корпусе TO247AC, что обеспечивает его долговечность и стабильность работы в различных электронных схемах. Модель IRFP250MPBF подходит для широкого спектра применений, включая источники питания, светодиодное освещение и преобразователи частоты. Используя слитную запись кода товара в виде IRFP250MPBF, можно легко найти всю необходимую информацию и документацию на сайте производителя или в нашем каталоге. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 30 |
Напряжение сток-исток, В | 200 |
Мощность, Вт | 214 |
Корпус | TO247AC |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2159pF @ 25V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 214W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 18A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Base Product Number | IRFP250 -> |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Package | Tube |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 214 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247AC |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
Width | 5.2mm |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 400 |
Fall Time: | 33 ns |
Forward Transconductance - Min: | 17 S |
Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 214 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 82 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 75 mOhms |
Rise Time: | 43 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1089 КБ
Datasheet IRFP250MPBF
pdf, 636 КБ
Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN-1732650
pdf, 1089 КБ
Документация
pdf, 1127 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов