IRF2804STRL7PP, Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 000 руб.
Мин. кол-во для заказа 32 шт.
от 50 шт. —
517 руб.
Добавить в корзину 32 шт.
на сумму 32 000 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF2804STRL7PP от известного производителя INFINEON — это высокомощный компонент в корпусе D2PAK-7, предназначенный для SMD монтажа. Вид N-MOSFET данного транзистора обеспечивает отличные характеристики для широкого спектра электронных применений. С током стока в 320 А и напряжением сток-исток в 40 В, он способен управлять большими нагрузками, имея при этом мощность до 330 Вт. Продукт IRF2804STRL7PP идеален для использования в силовой электронике, преобразовательных устройствах и других применениях, требующих надежного и эффективного управления мощностью. Приобретая данный транзистор, вы получаете надежный компонент от ведущего производителя в области полупроводников. Код товара для заказа: IRF2804STRL7PP. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 320 |
| Напряжение сток-исток, В | 40 |
| Мощность, Вт | 330 |
| Корпус | D2PAK-7 |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Fall Time: | 130 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 320 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IRF2804STRL7PP SP001564218 |
| Pd - Power Dissipation: | 330 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 170 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 mOhms |
| Rise Time: | 120 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 289 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
