AUIRF7341QTR, Транзистор N-МОП x2, полевой, HEXFET, 55В, 5,1А, 2,4Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
от 30 шт. —
294 руб.
от 100 шт. —
246.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
The Infineon HEXFET power MOSFET in a dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Fall Time | 12.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 5.1 A |
| Manufacturer | Infineon |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SO-8 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | SP001515768 |
| Pd - Power Dissipation | 2.4 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 29 nC |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
| Rise Time | 7.7 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 405 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
