APT47N60BC3G, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 47А, 417Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 360 руб.
от 3 шт. —
4 340 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 360 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Drain current | 47A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 260nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 70mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 417W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 228 КБ
