STP20N65M5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 11,3А; 130Вт

Фото 2/2 STP20N65M5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 11,3А; 130Вт
Фото 1/2 STP20N65M5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 11,3А; 130Вт
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8002545415
Артикул: STP20N65M5
Производитель: ST Microelectronics
600 руб.
9 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 3 шт. — 470 руб.
от 4 шт. — 333 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
120 руб. 7 дней, 4145 шт. 5 шт. 5 шт.
410 руб. 2-4 недели, 1190 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 302 руб.
от 100 шт. — 237 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.4mm
Transistor Configuration Single
Brand STMicroelectronics
Maximum Continuous Drain Current 18 A
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 130 W
Series MDmesh M5
Mounting Type Through Hole
Width 4.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Height 15.75mm
Maximum Drain Source Resistance 190 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 710 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 36 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -25 V, +25 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Длина 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand STMicroelectronics
Максимальный непрерывный ток стока 18 А
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 130 Вт
Серия MDmesh M5
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Width 4.6мм
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Height 15.75мм
Максимальное сопротивление сток-исток 190 мΩ
Maximum Drain Source Voltage 710 В
Число контактов 3
Типичный заряд затвора при Vgs 36 нКл при 10 В
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Тип канала N
Maximum Gate Source Voltage -25 В, +25 В
Вес, г 1.95

Дополнительная информация

Datasheet STP20N65M5

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.