STP20N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 шт., срок 7-9 недель
500 руб.
от 10 шт. —
420 руб.
от 30 шт. —
370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Drain current | 11.3A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.19Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 130W |
| Technology | MDmesh™ V |
| Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1169 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
