SIHS36N50D-E3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 23А, 446Вт, SUPER247

SIHS36N50D-E3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 23А, 446Вт, SUPER247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 320 руб.
от 3 шт.1 840 руб.
от 10 шт.1 480 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 320 руб.
Номенклатурный номер: 8002570415
Артикул: SIHS36N50D-E3

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case SUPER247
Drain current 23A
Drain-source voltage 500V
Gate charge 125nC
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer VISHAY
Mounting THT
On-state resistance 0.13Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 446W
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 6.28

Техническая документация

Datasheet
pdf, 175 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов