IXBH42N170A, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 21А, 357Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 920 руб.
от 3 шт. —
5 600 руб.
от 10 шт. —
5 170 руб.
от 30 шт. —
4 687.65 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 920 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 21А, 357Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 21A |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 188nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 357W |
| Pulsed collector current | 265A |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Turn-off time | 308ns |
| Turn-on time | 33ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 238 КБ
