MMBT2907AM3T5G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
54 руб.
от 10 шт. —
44 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, -60V, -0.6A, SOT-723; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:265mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:100hFE
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.6 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz(Min) |
| Height | 0.5 mm |
| Length | 1.2 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-723-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 640 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | MMBT2907AM3 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Width | 0.8 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 171 КБ
Документация
pdf, 147 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
