Brand	Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min	420 at 2 mA at 5 V
DC Current Gain hFE Max	420 at 2 mA at 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz
Height	1 mm
Length	2.2 mm
Manufacturer	Nexperia
Maximum DC Collector Current	0.1 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-323
Packaging	Reel
Part # Aliases	BC850CW T/R
Pd - Power Dissipation	200 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Transistor Polarity	NPN
Unit Weight	0.002116 oz
Width	1.35 mm
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Другие названия товара №	934022080115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	420 at 2 mA, 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	420 at 2 mA, 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
кол-во в упаковке	3000
Maximum Collector Base Voltage	50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum DC Current Gain	420
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	UMT
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.05

BC850CW

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация