IXTH110N25T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
3 560 руб.
от 2 шт. —
3 350 руб.
от 5 шт. —
3 200 руб.
от 9 шт. —
3 043.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 560 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 250V, 110A, TO-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:250V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thres 03AH1458
Технические параметры
Brand | IXYS |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 30 |
Fall Time | 27 ns |
Height | 21.46 mm |
Id - Continuous Drain Current | 110 A |
Length | 16.26 mm |
Manufacturer | IXYS |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 694 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
Rise Time | 27 ns |
RoHS | Details |
Series | IXTH110N25 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 60 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 19 ns |
Unit Weight | 0.229281 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 5.3 mm |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.026Ом |
Power Dissipation | 694Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Trench Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 250В |
Непрерывный Ток Стока | 110А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 8.85 |
Техническая документация
Datasheet IXTH110N25T
pdf, 200 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.