IXTH110N25T

IXTH110N25T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
3 560 руб.
от 2 шт.3 350 руб.
от 5 шт.3 200 руб.
от 9 шт.3 043.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 560 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002985804
Бренд: Littelfuse

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 250V, 110A, TO-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:250V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thres 03AH1458

Технические параметры

Brand IXYS
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 30
Fall Time 27 ns
Height 21.46 mm
Id - Continuous Drain Current 110 A
Length 16.26 mm
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 694 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 24 mOhms
Rise Time 27 ns
RoHS Details
Series IXTH110N25
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 60 ns
Typical Turn-On Delay Time 19 ns
Unit Weight 0.229281 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Width 5.3 mm
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.026Ом
Power Dissipation 694Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции Trench Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 250В
Непрерывный Ток Стока 110А
Пороговое Напряжение Vgs
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Вес, г 8.85

Техническая документация

Datasheet IXTH110N25T
pdf, 200 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.