IXTP44P15T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
1 230 руб.
от 2 шт. —
1 090 руб.
от 5 шт. —
998 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 230 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-220AB, Through Hole
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 17 ns |
| Forward Transconductance - Min | 45 S |
| Id - Continuous Drain Current | -44 A |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 298 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 175 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
| Rise Time | 42 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IXTP44P15 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Unit Weight | 0.08113 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 15 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2 V to-4 V |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IXT_44P15T
pdf, 230 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
