PSMN035-150P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 руб.
от 2 шт. —
440 руб.
от 5 шт. —
373 руб.
от 10 шт. —
346.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Электроэлемент
Now Nexperia PSMN035-150P - Power Field-Effect Transistor, 50A, 150V, 0.035ohm, N-Channel, MOSFET, SIL3P
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Family | Transistors-FETs, MOSFETs-Single |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 79nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4720pF @ 25V |
| Manufacturer | NXP-Semiconductors |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Power - Max | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 25A, 10V |
| Series | TrenchMOS™ |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Вес, г | 2.65 |
