BC859C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
39 руб.
от 10 шт. —
22 руб.
от 100 шт. —
7.03 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 186 руб.
Альтернативные предложения6
Описание
Электроэлемент
Bipolar (BJT) Single Transistor, GENERAL PURPOSE, PNP, 30 V, 250 mW, 100 mA, 420 RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 420 at 2 mA at 5 V |
| DC Current Gain hFE Max | 420 at 2 mA at 5 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
| Height | 1 mm |
| Length | 3 mm |
| Manufacturer | Nexperia |
| Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | /T3 BC859C |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Transistor Polarity | PNP |
| Width | 1.4 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | 933628690215 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA, 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 420 at 2 mA, 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Base Product Number | BC859 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Power - Max | 250mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
