BCW70

Фото 2/4 BCW70Фото 3/4 BCW70Фото 4/4 BCW70
Фото 1/4 BCW70
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
374 шт. со склада г.Москва
170 руб.
от 2 шт.85 руб.
от 5 шт.34 руб.
от 10 шт.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8002986511
Производитель: NXP Semiconductor

Описание

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 215, Коэффициент усиления по току, max 500

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 0,81 В
Длина 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 50 V
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности 250 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора 100 mA
Тип транзистора PNP
Высота 1мм
Число контактов 3
Размеры 1 x 3 x 1.4мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 215

Дополнительная информация

Datasheet BCW70

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах