BD244CG

Фото 2/2 BD244CG
Фото 1/2 BD244CG
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 шт. со склада г.Москва
250 руб.
190 руб.
от 2 шт.130 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002986552
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 65W PNP

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.5 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.53mm
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 100 В пост. тока
Maximum Continuous Collector Current 6 A
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 65 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 4.83mm
Transistor Type PNP
Высота 9.28mm
Pin Count 3
Dimensions 10.53 x 4.83 x 9.28mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 В пост. тока
Configuration Одинарный
Minimum DC Current Gain 15
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.5 V dc
Максимальная рабочая температура +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.53мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V dc
Maximum Continuous Collector Current 6 A
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 65 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -65 °C
Width 4.83мм
Тип транзистора PNP
Height 9.28мм
Число контактов 3
Размеры 10.53 x 4.83 x 9.28мм
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Конфигурация Одиночный
Minimum DC Current Gain 15
Pd - рассеивание мощности 65 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 9.28 mm (Max)
Длина 10.28 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 6 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 6 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 3 MHz
Размер фабричной упаковки 50
Серия BD244C
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.82 mm (Max)
Base Product Number BD244 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Current - Collector Cutoff (Max) 700ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 4V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 3MHz
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power - Max 65W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1A, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V

Дополнительная информация

Datasheet BD244CG
Datasheet BD244CG
Datasheet BD244CG

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах