BD682G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
240 руб.
от 7 шт. —
213 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 600 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
Электроэлемент
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-225AA; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:750hFE; Transistor Case Style:TO-225AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Av Current Ic:4A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-2.5V; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:1.5A; Device Marking:BD682; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:750; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:40W; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:100V
Технические параметры
| Collector Current (DC) | 4(A) |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 750 |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Maximum Collector Cut-off Current | 200 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-225 |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 40(W) |
| Rad Hardened | No |
| Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) | 2.5 V |
| Collector-Base Voltage (Vcbo) | 100 V |
| Collector-Emitter Voltage (Vceo) | 100 V |
| Continuous Collector Current (Ic) | 4 A |
| DC Current Gain (hFE) | 750 |
| Emitter-Base Voltage (Vebo) | 5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature Max. | 150 °C |
| Operating Temperature Min. | -55 °C |
| Pins | 3 |
| Power Dissipation (Pd) | 40 W |
| Reflow Temperature Max. | 260 °C |
| Transistor Polarity | PNP |
| Вес, г | 0.0175 |
Техническая документация
wrBD676-78-80-82_E.pdf
pdf, 58 КБ
Документация
pdf, 138 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
