BD682G

Фото 2/4 BD682GФото 3/4 BD682GФото 4/4 BD682G
Фото 1/4 BD682G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва
230 руб.
от 2 шт.130 руб.
от 5 шт.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги3
Номенклатурный номер: 8002986559
Производитель: ON Semiconductor

Описание

• Monolithic construction
• Complementary with BD681

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 2.8 V dc
Максимальная рабочая температура +150 °C
Maximum Operating Frequency 1 МГц
Number of Elements per Chip 1
Length 7.8мм
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 100 V dc
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V dc
Package Type TO-225
Maximum Power Dissipation 40 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 3мм
Максимальный пост. ток коллектора 4 А
Transistor Type PNP
Height 11.1мм
Число контактов 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Размеры 7.8 x 3 x 11.1мм
Transistor Material Кремний
Minimum DC Current Gain 750
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.8 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 1 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение коллектор-база 100 В пост. тока
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 100 V dc
Тип корпуса TO-225
Максимальное рассеяние мощности 40 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Максимальный пост. ток коллектора 4 А
Transistor Type PNP
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Dimensions 7.8 x 3 x 11.1мм
Pd - рассеивание мощности 40 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 11.04 mm
Длина 7.74 mm
Категория продукта Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 4 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 500
Серия BD682
Тип продукта Darlington Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Bulk
Упаковка / блок SOT-553
Ширина 2.66 mm
Base Product Number BD682 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 500ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Power - Max 40W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-225AA
Transistor Type PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V

Дополнительная информация

Datasheet BD682G
Datasheet BD682G
Datasheet BD682G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах