BDV64BG

Фото 2/3 BDV64BGФото 3/3 BDV64BG
Фото 1/3 BDV64BG
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Москва
310 руб.
от 2 шт.220 руб.
от 5 шт.150 руб.
от 10 шт.131 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 310 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002986560
Производитель: ON Semiconductor

Описание

• High DC current gain
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 2 В пост. тока
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 2.5 V dc
Length 15.2мм
Maximum Collector Base Voltage 100 V dc
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V dc
Package Type TO-218
Maximum Power Dissipation 125 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 4.9мм
Maximum DC Collector Current 10 A
Transistor Type PNP
Height 20.35mm
Pin Count 3
Dimensions 15.2 x 4.9 x 20.35mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 В пост. тока
Transistor Material Si
Minimum DC Current Gain 1000
Вид монтажа Through Hole
Высота 12.2 mm
Длина 15.2 mm
Категория продукта Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 400 uA
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 30
Серия BDV64B
Тип продукта Darlington Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247
Ширина 4.9 mm
Base Product Number BDV64 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 125W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247
Transistor Type PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 20mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V

Дополнительная информация

Datasheet BDV64BG
Datasheet BDV64BG
Datasheet BDV64BG

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах