BU406G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

280 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 210 руб.

от 10 шт. — 184 руб.

от 50 шт. — 163.75 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 560 руб.

Альтернативные предложения1

Посмотреть аналоги3

Номенклатурный номер: 8002986610

Электроэлемент

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 200В, 7А, 60Вт, TO220AB Характеристики

Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	400 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	7 A
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	50
Gain Bandwidth Product fT	10 MHz
Height	9.28 mm(Max)
Length	10.28 mm(Max)
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	7 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	60 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	BU406
Transistor Polarity	NPN
Unit Weight	0.211644 oz
Width	4.82 mm(Max)
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	1 В пост. тока
Количество элементов на ИС	1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	1,2 В пост. тока
Конфигурация транзистора	Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage	400 V dc
Maximum Continuous Collector Current	7 A
Package Type	TO-220
Maximum Power Dissipation	60 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.83мм
Тип транзистора	NPN
Число контактов	3
Максимальное напряжение эмиттер-база	6 В
Размеры	10.53 x 4.83 x 9.28мм
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	2.91