BU406G

Фото 2/3 BU406GФото 3/3 BU406G
Фото 1/3 BU406G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
127 шт. со склада г.Москва
230 руб.
200 руб.
от 2 шт.120 руб.
от 10 шт.58 руб.
от 100 шт.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги3
Номенклатурный номер: 8002986610
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 7A 10MHz 60W Through Hole TO-220AB

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V dc
Length 10.53mm
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 400 V dc
Maximum Continuous Collector Current 7 A
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 60 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 4.83mm
Transistor Type NPN
Высота 9.28mm
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Dimensions 10.53 x 4.83 x 9.28mm
Configuration Одинарный
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1 В пост. тока
Maximum Operating Temperature +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1,2 В пост. тока
Length 10.53мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 400 V dc
Maximum Continuous Collector Current 7 A
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 60 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -65 °C
Ширина 4.83мм
Тип транзистора NPN
Height 9.28мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Размеры 10.53 x 4.83 x 9.28мм
Configuration Одиночный
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 400
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 200
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@0.5A@5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 1@0.5A@5A
Maximum DC Collector Current (A) 7
Maximum Power Dissipation (mW) 60000
Maximum Transition Frequency (MHz) 10(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tube
Automotive No
Standard Package Name TO-220
Pin Count 3
Supplier Package TO-220AB
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 9.28(Max)
Package Length 10.53(Max)
Package Width 4.83(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Base Product Number BU406 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 7A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
ECCN EAR99
Frequency - Transition 10MHz
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power - Max 60W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 200V

Техническая документация

BU406 DATASHEET
pdf, 70 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BU406G
Datasheet BU406G
Datasheet BU406G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах