BSS123
98 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
44 руб.
от 10 шт. —
28 руб.
от 100 шт. —
12.20 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 196 руб.
Описание
Электроэлемент
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet BSS123,215
pdf, 139 КБ
