Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRL3705ZL

IRL3705ZL

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

830 руб.

от 2 шт. — 700 руб.

от 5 шт. — 627 руб.

от 10 шт. — 586.25 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 830 руб.

Номенклатурный номер: 8003152728

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

N-Channel MOSFET, 86 A, 55 V, 3-Pin I2PAK Infineon IRL3705ZLPBF

Технические параметры

Brand	Infineon/IR
Factory Pack Quantity	350
Height	9.45 mm
Id - Continuous Drain Current	86 A
Length	10.2 mm
Manufacturer	Infineon
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-262-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	130 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	40 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	12 mOhms
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	55 V
Vgs - Gate-Source Voltage	16 V
Width	4.5 mm
Id - непрерывный ток утечки	86 A
Pd - рассеивание мощности	130 W
Qg - заряд затвора	60 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	12 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	55 V
Vgs - напряжение затвор-исток	16 V, + 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.8 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	9.45 mm
Длина	10.2 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-262-3
Ширина	4.5 mm
Вес, г	2.523