IRF4104SPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 271 шт. —
250 руб.
от 766 шт. —
236 руб.
Добавить в корзину 150 шт.
на сумму 39 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой IRF4104SPBF производства INFINEON является высокопроизводительным компонентом для современной электроники. Монтаж данного элемента осуществляется поверхностным методом (SMD), что облегчает его интеграцию в печатные платы. Ток стока составляет впечатляющие 120 А, а напряжение сток-исток достигает 40 В, что позволяет использовать транзистор в мощных схемах. Мощность устройства равна 140 Вт, что свидетельствует о его надежности и долговечности. Особенно важным параметром является низкое сопротивление в открытом состоянии - всего 0,0055 Ом, что минимизирует потери энергии при работе. Тип N-MOSFET делает его идеальным для широкого спектра применений, от питания до свитчинга. Корпус D2PAK обеспечивает удобную установку и хороший теплоотвод. Выбирая IRF4104SPBF, вы получаете надежный компонент с высокими электрическими характеристиками для своих проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 120 |
| Напряжение сток-исток, В | 40 |
| Мощность, Вт | 140 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0055 |
| Корпус | D2PAK |
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0055Ом |
| Power Dissipation | 140Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 140Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0055Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 120 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5.5@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 140000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 68 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 68@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3000@25V |
| Вес, кг | 176 |
Техническая документация
Datasheet IRF4104PBF
pdf, 385 КБ
Datasheet IRF4104SPBF
pdf, 376 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
