IRF1404LPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
Мин. кол-во для заказа 120 шт.
Добавить в корзину 120 шт.
на сумму 38 400 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 162 A |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Qg - заряд затвора | 160 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 9.45 mm |
| Длина | 10.2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Ширина | 4.5 mm |
| Вес, кг | 177 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 272 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
